Fra non molto arriverà il giorno del mio esame ti Sistemi e Tecnologie Elettroniche e giusto per prepararmi ho deciso di rispondere a delle domande, messe a disposizione dal professore, che potrebbero capitare all’esame. Le condivido con tutti, di seguito il link per il donwload:

 

Domande:

1. Descrivere l’e etto della resistenza di ingresso di uno stadio ampli catore alimentato
con
(a) un ingresso in tensione
(b) un ingresso in corrente
2. Descrivere l’e etto della resistenza di uscita di uno stadio ampli catore con
(a) uscita in tensione
(b) uscita in corrente
3. Descrivere il funzionamento statico di un ampli catore di tensione invertente rea-
lizzato con un ampli catore operazionale ideale
4. Descrivere il funzionamento statico di un ampli catore di tensione non invertente
realizzato con un ampli catore operazionale ideale
5. Descrivere i concetti di ampli cazione di erenziale e di modo comune per uno stadio
ampli catore realizzato con un ampli catore operazionale ideale
6. Descrivere gli e etti di non idealita lineari presenti, in condizioni statiche, in un
ampli catore operazionale reale
7. Ricavare l’espressione della legge di Ohm microscopica per un semiconduttore, e
valutare la conducibilita elettrica di un semiconduttore intrinseco, drogato tipo n e
drogato tipo p
8. Determinare il valore della tensione di built-in in una giunzione pn brusca
9. Ricavare l’espressione della ampiezza delle regioni svuotate dei due lati per una
giunzione brusca
10. Ricavare la legge giunzione
11. Disegnare, dopo averne scritto l’espressione analitica, l’andamento dell’eccesso di
portatori minoritari nei due lati neutri (assunti lunghi) di una giunzione pn in con-
dizioni di polarizzazione diretta e inversa. Si richiede anche di esplicitare il valore
delle concentrazioni in eccesso ai limiti delle regioni neutre.
12. Disegnare l’andamento delle componenti di corrente in una giunzione pn in polariz-
zazione diretta e inversa, assumendo che i lati siano lunghi. Si richiede di giusti care
il risultato
13. Per un transistor bipolare npn, de nire e illustrare tutte le componenti di corrente
che attraversano le giunzioni di emettitore e di collettore, in regione di polarizzazione
attiva diretta. Inoltre de nire i parametri di guadagno per ampio segnale F e F .
14. Tracciare le caratteristiche di uscita ad emettitore comune per un transistore bipo-
lare npn, evidenziando le principali regioni di funzionamento.
15. Ricavare, in condizioni statiche, i parametri di piccolo segnale e il modello circuitale
equivalente per un transistor bipolare npn (a bassa frequenza).
16. Disegnare in modo qualitativo la distribuzione di carica, il campo elettrico e il
potenziale elettrostatico per un sistema MOS con gate in alluminio, strato di biossido
di silicio, substrato di silicio drogato tipo p
17. Tracciare le caratteristiche di uscita per:
(a) un MOSFET a canale n ad arricchimento,
(b) un MOSFET a canale n a svuotamento,
(c) un MOSFET a canale p ad arricchimento,
(d) un MOSFET a canale p a svuotamento,
evidenziando chiaramente le di erenze
18. Tracciare la transcaratteristica per:
(a) un MOSFET a canale n ad arricchimento,
(b) un MOSFET a canale n a svuotamento,
(c) un MOSFET a canale p ad arricchimento,
(d) un MOSFET a canale p a svuotamento,
evidenziando chiaramente le di erenze.
19. Ricavare, in condizioni statiche, i parametri di piccolo segnale e il modello circuitale
equivalente per un transistor MOS a canale n.
20. Descrivere il processo fotolitogra co utilizzato nella tecnologia planare dei semicon-
duttori
21. Descrivere le due principali tecnologie di drogaggio, di usione e impiantazione ionica
22. Descrivere le due tipologie di interruttori realizzati con transistori in commutazio-
ne, evidenziando le soluzioni piu comuni per gli interruttori low-side e high-side
rispettivamente.
23. Si discutano le speci cta di un circuito in commutazione con carico induttivo,
evidenziando le problematiche e le possibili soluzioni circuitali.
24. Si descriva il funzionamento di un inverter nelle due tecnologie R/SW e CMOS,
evidenziando le di erenze.
25. Descrivere i margini di rumore per un collegamento tra porte logiche.
26. Si discuta l’e etto delle correnti nella de nizione della compatibilita elettrica tra
porte logiche.
27. Si evidenzino le possibili dicolta nel collegamento tra porte con uscita totem pole,
descrivendo le possibili soluzioni disposnibili.
28. Descrivere la metodologia per la sintesi di funzioni logiche combinatorie complesse
in tecnologia a switch complementari.
29. Discutere il problema della dissipazione di potenza in un circuito logico, evidenzian-
do le componenti di potenza dissipata.

Domande e Risposte Sistemi e Tecnologie Elettroniche
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    • Xfox1

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